10h00 à 10h30 : Le projet collaboratif AUDACE : Fiabilité des dispositifs mécatroniques et sa plateforme technologique dédiée –M. Hichame Maanane -Thales Optronique.
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10h30 à 11h00 : Etude de la robustesse des transistors RF des technologies SiGe et GaN sous stress électromagnétique et thermique.- M. Moncef Kadi - Esigelec/IRSEEM Rouen.
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11h00 à 11h30 : Méthodes de caractérisation avancée pour l'évaluation de la fiabilité de filières GaN". M Agostino Benvegnu - Xlim Limoges.
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11h30 à 12h00 : Processus de mesure de la température de jonction de transistors en technologie GaN – M. Bertrand Boudart - Lusac Cherbourg.
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12h00 à 12h30 : Procédures de développement et de qualification des MMIC hyper fréquences fiabilisés pour applications spatiales et de défense – M. Thomas Jann – OMMIC.
14h00 à 14h30 : Analyse de fiabilité de technologies de MEMS RF - méthodologie et résultats - M. Jeremie Dhennin - Elemca.
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14h30 à 15h00 : Développement de process de fiabilité pour qualifier les packagings RF et microondes – M. Philippe Descamps - Lamips Caen.
15h00 à 15h30 : Aspects fiabilité de la qualification de la technologie GaN 0.25µm d’UMS Mr Laurent Brunel UMS.
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15h30 à 16h00 : Etude le de fiabilité des transistors HEMT GaN en conditions opérationnelles radar: Quels indicateurs de défaillance ?: Mr Olivier Latry GPM/Université de Rouen
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