« Vers des composants GaN fiables délivrant de haute performance en gamme d'ondes millimétriques »
Riad KABOUCHE, Kathia HARROUCHE, Farid MEDJDOUB
IEMN-CNRS, UMR8520, Villeneuve d’Ascq
« De la caractérisation aux essais de vieillissement de composants HEMT GaN pour des applications RADAR »
Par Mohamed NDIAYE Laboratoire CEVAA
« 150 000 heures de vieillissement en conditions opérationnelles radiofréquences de composants HEMT GaN »
Par Olivier LATRY GPM Université de Rouen
« Mesure de température de transistors GaN en utilisant a technologie spectroscopie Raman »
Par Mr Boudart Bertrand Laboratoire GREYC Université de Caen
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