Problématique et perspective d’emploi du GaN dans les systèmes de défense »
Francis DOUKHAN & François REPTIN - DGA

«Epitaxies GaN/SiC et GaN/Si de grand diamètre pour les applications 5G»
Marianne GERMAIN -EpiGaN.

Nouvelles voies technologiques pour la mesure de la température et l’amélioration de la dissipation thermique des HEMTs GaN»
Marie LESECQ, Fabien COZETTE, Mahmoud ABOU DAHER, Mohamed-Reda IREKTI, Mohammed BOUCHERTA, Nicolas DEFRANCE, Yvon CORDIER & Jean-Claude DE JAEGER – IEMN, CNRS-Université de Lille, CRHEA, CNRS-Valbonne

Composants HEMT InAlGaN/GaN pour applications en bandes Ka et Q.
Stéphane PIOTROWICZ, Olivier PATARD, Jean-Claude JACQUET, Piero GAMARRA, Christian DUA & Sylvain DELAGE - III-V lab.

Méthodes avancées de caractérisation et de modélisation des transistors HEMT GaN.
Jean-Christophe NALLATAMBY & Raymond QUERE - XLIM, CNRS-Université de Limoges

MMICs et Modules basés sur la technologie GaN pour les applications en communication et capteurs.
Michael SCHLECHTWEG – Fraunhofer Institute IAF (Germany).

Le GaN chez Thales DMS : des circuits aux systèmes.
Yves MANCUSO - Thales Systèmes Aéroportés.

Récents développements en technologie de puissance GaN/SiC pour applications hautes fréquences.
Didier FLORIOT – UMS.

MMIC GaN / Si 100 nm: la solution front-end pour les systèmes mmW 5G.
Marc ROCCHI, Fabien ROBERT, François LECOURT, Rémy LEBLANC & Peter FRIJLINK - OMMIC

Quasi-MMIC HPA en package plastique de haute performance délivrant 60W en bande S.
Zineb OUARCH, Maxime OLIVIER & Philippe EUDELINE - UMS - Thales Air Systems